A vertical ferroelectric capacitor structure and the method of fabricating the same. An insulating layer is formed on a semiconductor substrate. A lower opening and an upper opening with the depth larger than the width are defined and formed in the insulating layer. A conductive material is filled into the openings to form two vertical and parallel plate electrodes to serve as lower electrode and upper electrode. A portion of the insulating layer between the lower and upper electrodes are then removed to form a gap between the lower and upper electrodes. A ferroelectric material is filled into the gap to form a ferroelectric capacitor with vertical structure.

Μια κάθετη σιδηροηλεκτρική δομή πυκνωτών και η μέθοδος το ίδιο πράγμα. Ένα στρώμα μόνωσης διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών. Ένα χαμηλότερο άνοιγμα και ένα ανώτερο άνοιγμα με το βάθος μεγαλύτερο από το πλάτος καθορίζονται και διαμορφώνονται στο στρώμα μόνωσης. Ένα αγώγιμο υλικό γεμίζουν στις ενάρξεις για να διαμορφώσει δύο κάθετα και παράλληλα ηλεκτρόδια πιάτων για να χρησιμεύσει ως το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο και το ανώτερο ηλεκτρόδιο. Μια μερίδα του στρώματος μόνωσης μεταξύ των χαμηλότερων και ανώτερων ηλεκτροδίων αφαιρείται έπειτα για να διαμορφώσει ένα χάσμα μεταξύ των χαμηλότερων και ανώτερων ηλεκτροδίων. Ένα σιδηροηλεκτρικό υλικό γεμίζουν στο χάσμα για να διαμορφώσει έναν σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή με την κάθετη δομή.