An IC with memory cells arranged in groups is described. The memory cells, for example, are ferroelectric memory cells. The IC includes a variable voltage generator (VVG) for generating an output voltage having a different voltage level depending on a location of an addressed memory cell within the memory group is provided. By providing different voltage levels for reads and/or writes, signal loss caused by capacitances which is dependent on the location of the memory cell within the group can be avoided. This improves read and/or write operations in series memory architectures.

Eine IS mit Speicherzellen ordnete in den Gruppen wird beschrieben. Die Speicherzellen z.B. sind ferroelectric Speicherzellen. Die IS schließt einen variablen Spannung Generator (VVG) für das Erzeugen einer Ausgang Spannung mit ein, die eine andere Spannungshöhe abhängig von einer Position einer adressierten Speicherzelle innerhalb der Gedächtnisgruppe hat, wird zur Verfügung gestellt. Indem das Zur Verfügung stellen der unterschiedlichen Spannungshöhen für, liest und/oder schreibt, der Signalverlust, der durch Kapazitanzen verursacht wird, der von der Position der Speicherzelle innerhalb der Gruppe kann vermieden werden abhängig ist. Dieses verbessert gelesen und/oder schreibt Betriebe in Reihe Gedächtnisarchitektur.