A method of fabricating a semiconductor device having a capacitor with a high dielectric constant layer includes a groove for an alignment key is formed together with a contact hole on a substrate; a conductive layer of tungsten is formed to fill the contact hole and cover the inner surface of the groove; a capping layer for use as an oxygen barrier is stacked on the conductive layer of tungsten; a planarization process is performed using CMP to leave the capping layer and the conductive layer of tungsten covering the inner surface of the groove to form a contact plug filling the contact hole; a capacitor bottom electrode layer is stacked to contact the top surface of the contact plug; a high dielectric constant layer is stacked on the bottom electrode layer; and an oxidation treatment is performed at a high temperature to crystallize the high dielectric constant layer.

Une méthode de fabriquer un dispositif de semi-conducteur ayant un condensateur avec une couche élevée de constante diélectrique inclut une cannelure pour une clef d'alignement est formée ainsi qu'un trou de contact sur un substrat ; une couche conductrice de tungstène est formée pour remplir trou de contact et pour couvrir la surface intérieure de la cannelure ; une couche couvrante pour l'usage comme barrière de l'oxygène est empilée sur la couche conductrice de tungstène ; un processus de planarization est effectué à l'aide du CMP pour laisser la couche couvrante et la couche conductrice de tungstène couvrant la surface intérieure de la cannelure pour former une prise de contact remplissant trou de contact ; une couche d'électrode de sole de condensateur est empilée pour entrer en contact avec la surface supérieure de la prise de contact ; une couche élevée de constante diélectrique est empilée sur la couche d'électrode de sole ; et un traitement d'oxydation est exécuté à température élevée pour cristalliser la couche élevée de constante diélectrique.