There is provided a semiconductor device having a ferroelectric capacitor formed on a semiconductor substrate covered with an insulator film, wherein the ferroelectric capacitor comprises: a bottom electrode formed on the insulator film; a ferroelectric film formed on the bottom electrode; and a top electrode formed on the ferroelectric film. The ferroelectric film has a stacked structure of either of two-layer-ferroelectric film or three-layer-ferroelectric film. The upper ferroelectric film is metallized and prevents hydrogen from diffusing in lower ferroelectric layer. Crystal grains of the stacked ferroelectric films are preferably different.

Er een halfgeleiderapparaat verstrekt dat wordt een ferroelectric condensator heeft die op een halfgeleidersubstraat wordt gevormd dat met een isolatiefilm wordt behandeld, waarin de ferroelectric condensator bestaat uit: een onderste elektrode die op de isolatiefilm wordt gevormd; een ferroelectric film die op de onderste elektrode wordt gevormd; en een hoogste elektrode die op de ferroelectric film wordt gevormd. De ferroelectric film heeft een gestapelde structuur van één van beiden van twee-laag-ferroelectric film of drie-laag-ferroelectric film. De hogere ferroelectric film is gemetalliseerd en verhindert waterstof in lagere ferroelectric laag te verspreiden. De korrels van het kristal van de gestapelde ferroelectric films zijn bij voorkeur verschillend.