A semiconductor device in which TFTs of suitable structures are arranged depending upon the performances of the circuits, and storage capacitors are formed occupying small areas, the semiconductor device featuring high performance and bright image. The thickness of the gate-insulating film is differed depending upon a circuit that gives importance to the operation speed and a circuit that gives importance to the gate-insulating breakdown voltage, and the position for forming the LDD region is differed depending upon the TFT that gives importance to the countermeasure against the hot carriers and the TFT that gives importance to the countermeasure against the off current. This makes it possible to realize a semiconductor device of high performance. Further, the storage capacity is formed by a light-shielding film and an oxide thereof to minimize its area, and a semiconductor device capable of displaying a bright picture is realized.

Een halfgeleiderapparaat waarin TFTs van geschikte structuren afhangend van de prestaties van de kringen worden geschikt worden, en de opslagcondensatoren gevormd bezettend kleine gebieden, het halfgeleiderapparaat dat hoge prestaties en helder beeld kenmerkt. De dikte van de poort-isolerende film wordt verschild afhangend van een kring die belang aan de verrichtingssnelheid en een kring geeft die belang aan het poort-isolerende analysevoltage geeft, en de positie voor het vormen van het gebied LDD wordt verschild afhangend van TFT die belang aan de tegenmaatregel tegen de hete dragers en TFT geeft die belang aan de tegenmaatregel tegen weg huidig geeft. Dit maakt het mogelijk om een halfgeleiderapparaat van hoge prestaties te realiseren. Verder, wordt de opslagcapaciteit gevormd door een licht-beschermt film en een oxyde daarvan om zijn gebied te minimaliseren, en een halfgeleiderapparaat geschikt om een helder beeld wordt te tonen gerealiseerd.