This invention provides a semiconductor device having high operation performance and high reliability. An LDD region 707 overlapping with a gate wiring is arranged in an n-channel TFT 802 forming a driving circuit, and a TFT structure highly resistant to hot carrier injection is achieved. LDD regions 717, 718, 719 and 720 not overlapping with a gate wiring are arranged in an n-channel TFT 804 forming a pixel unit. As a result, a TFT structure having a small OFF current value is achieved. In this instance, an element belonging to the Group 15 of the Periodic Table exists in a higher concentration in the LDD region 707 than in the LDD regions 717, 718, 719 and 720.

Esta invención proporciona un dispositivo de semiconductor que tiene alto funcionamiento de la operación y alta confiabilidad. Una región 707 de LDD que se traslapa con un cableado de la puerta se arregla en un n-canal TFT 802 que forma un circuito que conduce, y una estructura de TFT altamente resistente a la inyección de portador caliente se alcanza. Las regiones 717, 718, 719 y 720 de LDD no traslapándose con un cableado de la puerta se arreglan en un n-canal TFT 804 que forma una unidad del pixel. Consecuentemente, una estructura de TFT que tiene un pequeño de valor actual se alcanza. En este caso, un elemento que pertenece al grupo 15 de la tabla periódica existe en una concentración más alta en la región 707 de LDD que en las regiones 717, 718, 719 y 720 de LDD.