There are provided a semiconductor light emitting device wherein the variation in tone in each device is small and the variation in tone due to deterioration with age is also small, and a method for manufacturing the same. The semiconductor light emitting device includes an active layer for emitting primary light having a first wavelength by current injection, and a light emitting layer excited by the primary light for emitting secondary light having a second wavelength different from said first wavelength, wherein the primary light and the secondary light are mixed to be outputted.

È fornito un dispositivo d'emissione chiaro a semiconduttore in cui la variazione nel tono in ogni dispositivo è piccola e la variazione nel tono dovuto deterioramento con l'età è inoltre piccola e un metodo per la produzione dello stesso. Il dispositivo d'emissione chiaro a semiconduttore include uno strato attivo per l'emissione della luce primaria che ha una prima lunghezza d'onda tramite l'iniezione corrente e uno strato d'emissione chiaro eccitato dalla luce primaria per l'emissione della luce secondaria che ha una seconda lunghezza d'onda differente dalla prima lunghezza d'onda detta, in cui la luce primaria e la luce secondaria sono mescolate per essere outputted.