On a non-volatile semiconductor memory, a large current can be flowed through the memory cell during reading. The number of the column lines can be reduced. The electron injection to the floating gates of the respective memory cells is averaged to reduce the dispersion of the threshold voltages thereof. The electron emission from the floating gates of the respective memory cells is also averaged to reduce the dispersion of the threshold voltages thereof. An increase in chip size due to latch circuits can be prevented. By noting that either of a plurality of "0" or "1" of the binary data are stored much in the memory cells of the memory cell bundle or block, a negative threshold voltage is allocated to the memory cells for storing the more bit side data of the binary data. A single column line is used in common for the two adjacent memory blocks. To inject electrons to the floating gates of the memory cells, voltage is increased gradually and stopped when electrons have been injected up to a predetermined injection rate. Electrons are once emitted from the floating gates, and thereafter the electrons are injected again to store one of a binary data. Further, the data latch circuits can be formed at any positions remote from the memory cell array.

Em uma memória de semicondutor permanente, uma corrente grande pode ser corrida através a pilha de memória durante a leitura. O número das linhas de coluna pode ser reduzido. A injeção do elétron às portas flutuando das pilhas de memória respectivas é calculada a média para reduzir a dispersão das tensões do ponto inicial disso. A emissão do elétron das portas flutuando das pilhas de memória respectivas é calculada a média também para reduzir a dispersão das tensões do ponto inicial disso. Um aumento no tamanho da microplaqueta devido aos circuitos da trava pode ser impedido. Anotando que de um plurality de "0" ou de "1" dos dados binários estão armazenados muito nas pilhas de memória do pacote da pilha de memória ou do bloco, uma tensão negativa do ponto inicial é alocada às pilhas de memória para armazenar mais dados do lado do bocado dos dados binários. Uma única linha de coluna é usada na terra comum para os dois blocos adjacentes da memória. Para injetar elétrons às portas flutuando das pilhas de memória, a tensão está aumentada gradualmente e parada quando os elétrons foram injetados até uma taxa predeterminada da injeção. Os elétrons são emitidos uma vez das portas flutuando, e os elétrons são injetados depois disso outra vez para armazenar um de uns dados binários. Mais mais, os circuitos da trava de dados podem ser dados forma em todas as posições remotas da disposição de pilha da memória.