The present invention discloses a nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array composed of a plurality of memory cells, each of which is formed with a gate insulating film, a floating gate electrode, an insulating film between electrodes, and a control electrode formed respectively in a first conductor type semiconductor area, as well as a second conductor type source area and a second conductor type drain area formed respectively in the firs conductor type semiconductor area, and programming and erasing data by controlling the amount of electrons in the floating gate electrode, wherein the nonvolatile semiconductor memory device further includes at least; means for applying a predetermined first operation voltage to the memory cell thereby to inject or eject electrons in or from the floating gate electrode; means for applying a second operation voltage to the memory cell after the application of the first operation voltage to give an electric field with a polarity opposite to that of the electric field applied with the application of the first operation voltage to an insulating film area around the floating gate through which electrons pass when the first operation voltage is applied; means for verifying the threshold voltage in the memory cell after the application of the second operation voltage; and means for deciding whether to repeat the operations following the application of the first operation voltage after the verify operation.

De onderhavige uitvinding onthult een niet-vluchtig apparaat van het halfgeleidergeheugen met inbegrip van een serie van de geheugencel die uit een meerderheid van geheugencellen wordt samengesteld, elk waarvan met een poort isolerende film, een drijvende poortelektrode, een isolerende film tussen elektroden wordt gevormd, en een controleelektrode die respectievelijk op een eerste leidertype halfgeleidergebied wordt gevormd, evenals een tweede leidertype brongebied en een tweede leidertype afvoerkanaalgebied dat respectievelijk in het het type van sparrenleider halfgeleidergebied, en programmerende en wissende gegevens door de hoeveelheid elektronen in de drijvende poortelektrode te controleren wordt gevormd, waarin het niet-vluchtige apparaat van het halfgeleidergeheugen verder minstens omvat; middelen om een vooraf bepaald eerste verrichtingsvoltage op de geheugencel toe te passen daardoor om elektronen in of van de drijvende poortelektrode in te spuiten of uit te werpen; de middelen om een tweede verrichtingsvoltage op de geheugencel na de toepassing van het eerste verrichtingsvoltage toe te passen om een elektrisch veld met een polariteit tegengesteld aan dat van het elektrische veld te geven waren met de toepassing van het eerste verrichtingsvoltage van toepassing op een het isoleren filmgebied rond de drijvende poort waardoor de elektronen overgaan wanneer het eerste verrichtingsvoltage wordt toegepast; middelen om het drempelvoltage in de geheugencel na de toepassing van het tweede verrichtingsvoltage te verifiëren; en middelen om te besluiten of om de verrichtingen na de toepassing van het eerste verrichtingsvoltage na te herhalen verrichting verifiëer.