An integrated circuit 210 has a power grid formed from a first set of power
buses 201a and 202a on a metal interconnect level M1, a second set of
power buses 203a and 204a on interconnect level M4, and a third set of
power buses 205a and 206a on interconnect level M5. The set of power buses
on level M4 are oriented in the same direction as the set of power buses
on level M1, and both sets of buses are located coincidentally. A high
power logic cell 220 is pre-defined with a set of M1-M4 power vias 221 and
222 so that logic cell 220 can be positioned in a horizontal row
unconstrained by pre-positioned M1-M4 power vias. Dummy cell 230 with
M1-M4 power vias is positioned as needed so as not to exceed a maximum
strapping distance D1. A maximum value for distance D1 is selected based
on dynamic power requirements of nearby logic cells 250a-n as determined
by simulation. A method for designing and fabricating integrated circuit
210 is described.
Eine integrierte Schaltung 210 hat ein Energie Rasterfeld, das von einem ersten Satz Energie Bussen 201a und 202a auf einem Metallverknüpfung Niveau M1, einem zweiten Satz Energie Bussen 203a und 204a auf Verknüpfung Niveau M4 und einem dritten Satz Energie Bussen 205a und 206a auf Verknüpfung Niveau M5 gebildet wird. Der Satz der Energie Busse auf Niveau M4 werden in der gleichen Richtung wie der Satz der Energie Busse auf Niveau M1 orientiert, und beide Sätze Busse werden übereinstimmend lokalisiert. Eine hohe Energie Logikzelle 220 wird mit einem Satz Energie M1-M4 vias 221 und 222 vorbestimmt, damit Logikzelle 220 in eine horizontale Reihe in Position gebracht werden kann, die durch pre-positioned Energie M1-M4 vias nicht begrenzt wird. Blinde Zelle 230 mit Energie M1-M4 vias wird benötigte so so wie, einen gurtenabstand D1 nicht zu übersteigen des Maximums in Position gebracht. Ein Maximalwert für Abstand D1 wird gründete auf dynamischem Leistungsbedarf der nahe gelegenen Logikzellen 250a-n vorgewählt, wie durch Simulation festgestellt. Eine Methode für das Entwerfen und das Fabrizieren von von integrierter Schaltung 210 wird beschrieben.
