There is provided an EL light-emitting device with less uneven brightness. When a drain current of a plurality of current controlling TFTs is Id, a mobility is .mu., a gate capacitance per unit area is Co, a maximum gate voltage is Vgs.sub.(max), a channel width is W, a channel length is L, an average value of a threshold voltage is Vth, a deviation from the average value of the threshold voltage is .DELTA.Vth, and a difference in emission brightness of a plurality of EL elements is within a range of .+-.n%, a semiconductor display device is characterized in that ##EQU1##

É fornecido um dispositivo light-emitting do EL com menos brilho desigual. Quando uma corrente do dreno de um plurality de TFTs controlando atual é identificação, uma mobilidade é mu., uma capacidade da porta por a área de unidade é Co, uma tensão máxima da porta é Vgs.sub.(max), uma largura da canaleta é W, um comprimento de canaleta é L, um valor médio de uma tensão do ponto inicial é Vth, um desvio do valor médio da tensão do ponto inicial é DELTA.Vth, e uma diferença no brilho da emissão de um plurality de elementos do EL está dentro de uma escala do +-.n%, um dispositivo de exposição do semicondutor é caracterizada nesse ## do ## EQU1