A crystalline semiconductor film in which the position and size of a crystal grain is controlled is fabricated, and the crystalline semiconductor film is used for a channel formation region of a TFT, so that a high performance TFT is realized. An island-like semiconductor layer is made to have a temperature distribution, and a region where temperature change is gentle is provided to control the nucleus generation speed and nucleus generation density, so that the crystal grain is enlarged. In a region where an island-like semiconductor layer 1003 overlaps with a base film 1002, a thick portion is formed in the base film 1002. The volume of this portion increases and heat capacity becomes large, so that a cycle of temperature change by irradiation of a pulse laser beam to the island-like semiconductor layer becomes gentle (as compared with other thin portion). Like this, a laser beam is irradiated from the front side and reverse side of the substrate to directly heat the semiconductor layer, and heat conduction from the semiconductor layer to the side of the substrate and heat conduction of the semiconductor layer in the horizontal direction to the substrate are used, so that the increase in the size of the crystal grain is realized.

Uma película cristalina do semicondutor em que a posição e o tamanho de uma grão de cristal são controlados é fabricada, e a película cristalina do semicondutor é usada para uma região da formação da canaleta de um TFT, de modo que um desempenho elevado TFT seja realizado. Console-como a camada do semicondutor é feito para ter uma distribuição da temperatura, e uma região onde a mudança de temperatura seja delicada é fornecida para controlar a velocidade da geração do núcleo e a densidade da geração do núcleo, de modo que a grão de cristal seja ampliada. Em uma região onde console-como a camada 1003 do semicondutor sobreponha com uma película baixa 1002, uma parcela grossa é dada forma na película baixa 1002. O volume desta parcela aumenta e a capacidade de calor torna-se grande, de modo que um ciclo da mudança de temperatura pelo irradiation de um feixe de laser do pulso ao console-como a camada do semicondutor se torne delicado (em comparação à outra parcela fina). Como esta, um feixe de laser irradiated do lado dianteiro e do lado reverso da carcaça para aquecer diretamente a camada do semicondutor, e a condução do calor da camada do semicondutor ao lado da condução da carcaça e do calor da camada do semicondutor no sentido horizontal à carcaça é usada, de modo que o aumento no tamanho da grão de cristal seja realizado.