Within a dual damascene method for forming a dual damascene aperture within a microelectronic fabrication there is employed an etch stop layer interposed between a first dielectric layer and second dielectric layer within a non active product region of a substrate, but not within an active product region of the substrate. Within the dual damascene method, an endpoint for forming a trench within a dual damascene aperture within the active product region is sensed by reaching the etch stop layer when forming a dummy trench within the non active product region.

All'interno di un metodo damascene doppio per formare un'apertura damascene doppia all'interno di un montaggio microelettronico là è impiegato uno strato di arresto incissione all'acquaforte interposto fra un primo strato dielettrico ed il secondo strato dielettrico all'interno di una regione non attiva del prodotto di un substrato, ma non all'interno di una regione attiva del prodotto del substrato. All'interno del metodo damascene doppio, un punto finale per formare una trincea all'interno di un'apertura damascene doppia all'interno della regione attiva del prodotto è percepito raggiungendo lo strato di arresto incissione all'acquaforte quando forma una trincea fittizia all'interno della regione non attiva del prodotto.