A semiconductor layout testing and correction system is disclosed. The system combines both rule-based optical proximity correction and model-based optical proximity correction in order to test and correct semiconductor layouts. In a first embodiment, a semiconductor layout is first processed by a rule-based optical proximity correction system and then subsequently processed by a model-based optical proximity correction system. In another embodiment, the system first processes a semiconductor layout with a rule-based optical proximity correction system and then selectively processes difficult features using a model-based optical proximity correction system. In yet another embodiment, the system selectively processes the various features of a semiconductor layout using a rule-based optical proximity correction system or a model-based optical proximity correction system.

Ένα σύστημα δοκιμής και διορθώσεων σχεδιαγράμματος ημιαγωγών αποκαλύπτεται. Το σύστημα συνδυάζει και τη βασισμένη στους κανόνες οπτική διόρθωση εγγύτητας και την πρότυπος-βασισμένη οπτική διόρθωση εγγύτητας προκειμένου να εξεταστούν και να διορθωθούν τα σχεδιαγράμματα ημιαγωγών. Σε μια πρώτη ενσωμάτωση, ένα σχεδιάγραμμα ημιαγωγών υποβάλλεται σε επεξεργασία αρχικά από ένα βασισμένο στους κανόνες οπτικό σύστημα διορθώσεων εγγύτητας και έπειτα στη συνέχεια υποβάλλεται σε επεξεργασία από ένα πρότυπος-βασισμένο οπτικό σύστημα διορθώσεων εγγύτητας. Σε μια άλλη ενσωμάτωση, το σύστημα πρώτος επεξεργάζεται ένα σχεδιάγραμμα ημιαγωγών με ένα βασισμένο στους κανόνες οπτικό σύστημα διορθώσεων εγγύτητας και έπειτα επιλεκτικά επεξεργάζεται τα δύσκολα χαρακτηριστικά γνωρίσματα χρησιμοποιώντας ένα πρότυπος-βασισμένο οπτικό σύστημα διορθώσεων εγγύτητας. Σε ακόμα μια ενσωμάτωση, το σύστημα επεξεργάζεται επιλεκτικά τα διάφορα χαρακτηριστικά γνωρίσματα ενός σχεδιαγράμματος ημιαγωγών χρησιμοποιώντας ένα βασισμένο στους κανόνες οπτικό σύστημα διορθώσεων εγγύτητας ή ένα πρότυπος-βασισμένο οπτικό σύστημα διορθώσεων εγγύτητας.