A method of forming a low dielectric constant interlayer dielectric film on a substrate by reacting, under chemical vapor deposition conditions sufficient to deposit the film on the substrate, an organosilicon precursor comprising a silyl ether, a silyl ether oligomer, or an organosilicon compound containing one or more reactive groups, to form an interlayer dielectric film having a dielectric constant of 3.5 or less. The films formed by the above method.

Μια μέθοδος μια χαμηλή διηλεκτρική ταινία ενδιάμεσων στρωμάτων διηλεκτρικής σταθεράς σε ένα υπόστρωμα με την αντίδραση, υπό τους όρους απόθεσης χημικού ατμού επαρκείς για να καταθέσουν την ταινία στο υπόστρωμα, έναν organosilicon πρόδρομο περιλαμβάνοντας έναν silyl αιθέρα, silyl oligomer αιθέρα, ή μια organosilicon ένωση που περιέχει μια ή περισσότερες αντιδραστικές ομάδες, για να διαμορφώσει μια διηλεκτρική ταινία ενδιάμεσων στρωμάτων που έχει μια διηλεκτρική σταθερά 3,5 ή λιγότερους. Οι ταινίες που διαμορφώνονται με την ανωτέρω μέθοδο.