An improved barrier stack for reducing plug oxidation in capacitor-over-plug structures is disclosed. The barrier stack is formed on a non-conductive adhesion layer of titanium oxide. The barrier stack includes first and second barrier layers wherein the second barrier layer covers the top surface and sidewalls of the first barrier layer. In one embodiment, the first barrier layer comprises Ir and the second barrier layer comprises IrO.sub.x. Above the barrier stack is formed a capacitor.

Показан улучшенный стог барьера для уменьшения оксидации штепсельной вилки в структурах конденсатор-над-wtepsel6no1 вилки. Стог барьера сформирован на непровоящем слое прилипания titanium окиси. Стог барьера вклюает сперва и вторые слои барьера при котором второй слой барьера покрывает верхнюю поверхность и стенки первого слоя барьера. В одном воплощении, первый слой барьера состоит из иКой и второй слой барьера состоит из IrO.sub.x. Над барьером стог сформирован конденсатору.