An apparatus (110) and method for depositing material on a semiconductor wafer with non-planar structures (114). The wafer (114) is positioned in a chamber (111), and reactive gases (132) are introduced into the chamber (111). The gases (132) and wafer (114) are heated, wherein the gas (132) temperature in the process chamber (111) and in the vicinity of the wafer (114) surface is lower than the temperature of the wafer (114) surface. A material is deposited on the wafer (114) surface using chemical vapor deposition. A gas cooler may be utilized to lower the temperature of the reactive gases (132) while the wafer (114) is heated.

Прибор (110) и метод для депозировать материал на вафле полупроводника с нон-ploskostnymi структурами (114). Вафля (114) расположена в камеру (111), и реактивные газы (132) введена в камеру (111). Газы (132) и вафля (114) нагреты, при котором 132) температуры газа (в отростчатой камере (111) и в близости вафли (114) поверхность более низки чем температуры 114) поверхностей вафли (. Материал депозирован на 114) поверхностях вафли (использующ низложение химически пара. Охладитель газа может быть использован для того чтобы понизить температуру реактивных газов (132) пока вафля (114) нагрета.