A light emitter including a substrate, at least one semiconductor layer of a first conductivity type formed on the substrate, at least one semiconductor layer of a second conductivity type formed on a partial region of the semiconductor layer of the first conductivity type, a first bonding electrode connected to the semiconductor layer of the first conductivity type and a second bonding electrode connected to an almost entire surface of the semiconductor layer of the second conductivity type, wherein the substrate is transparent to light emitted from a proximity of a junction between the semiconductor layer of the first conductivity type and the semiconductor layer of the second conductivity type, the second bonding electrode is formed to have an almost rectangular shape and a substantially minimum area for bonding, and sides of the emitter are disposed in three directions of the circumstance of the second bonding electrode.

Een lichte zender met inbegrip van een substraat, minstens één halfgeleiderlaag van een eerste geleidingsvermogentype dat op het substraat wordt gevormd, minstens één halfgeleiderlaag van een tweede geleidingsvermogentype dat op een gedeeltelijk gebied van de halfgeleiderlaag wordt gevormd van het eerste geleidingsvermogentype, een eerste elektrode plakkend die met de halfgeleiderlaag wordt verbonden van het eerste geleidingsvermogentype en een tweede elektrode plakkend die met een bijna volledige oppervlakte van de halfgeleiderlaag wordt verbonden van het tweede geleidingsvermogentype, waarin het substraat transparant om is aan te steken uitgezonden van een nabijheid van een verbinding tussen de halfgeleiderlaag van het eerste geleidingsvermogentype en de halfgeleiderlaag van het tweede geleidingsvermogentype, wordt de tweede elektrode plakkend gevormd nected to the semiconductor layer of the first conductivity type and a second bonding electrode connected to an almost entire surface of the semiconductor layer of the second conductivity type, wherein the substrate is transparent to light emitted from a proximity of a junction between the semiconductor layer of the first conductivity type and the semiconductor layer of the second conductivity type, the second bonding electrode is formed to have an almost de rechthoekige vorm en een wezenlijk minimumgebied voor het plakken, en de kanten van de zender worden geschikt in drie richtingen van de omstandigheid van de tweede elektrode plakkend.