The invention concerns a method for producing nanostructures under controlled atmosphere, from compounds having a hexagonal crystalline shape, subjected to a focused laser bombardment of a gas. The invention is characterized in that it consists in using a compacted compound sample and in carrying out the process under a residual gas pressure between 1 and 3.10.sup.4 Pa.

La invención se refiere a un método para producir nanostructures bajo atmósfera controlada, de los compuestos que tienen una forma cristalina hexagonal, sujetada a un bombardeo enfocado del laser de un gas. La invención se caracteriza en que consiste al usar una muestra compuesta condensada y en realizar el proceso bajo presión de gas residual entre 1 y PA 3.10.sup.4.