A process for heat-treating a single crystal silicon wafer to influence the precipitation behavior of oxygen in the wafer in a subsequent thermal processing step. The wafer has a front surface, a back surface, and a central plane between the front and back surfaces. In the process, the wafer is subjected to a heat-treatment to form crystal lattice vacancies in the wafer. During the heat-treatment, the front and back surfaces of the wafer are each exposed to either a nitriding or non-nitriding gas. The wafer is then cooled from the temperature of said heat treatment at a rate which allows some, but not all, of the crystal lattice vacancies to diffuse to the front surface to produce a wafer having a vacancy concentration profile determined in part by the gas that each surface is exposed to and in part by the cooling rate.

Een proces hitte-behandelt een wafeltje van het enig kristalsilicium om het precipitatiegedrag van zuurstof in het wafeltje in een verdere thermische verwerkingsstap te beïnvloeden. Het wafeltje heeft een vooroppervlakte, een achteroppervlakte, en een centraal vliegtuig tussen de voor en achteroppervlakten. In het proces, wordt het wafeltje onderworpen aan een thermische behandeling aan het roostervacatures van het vormkristal in het wafeltje. Tijdens de thermische behandeling, worden de voor en achteroppervlakten van het wafeltje elk blootgesteld aan of een nitriding of niet-nitridingsgas. Het wafeltje wordt dan gekoeld van de temperatuur van bovengenoemde thermische behandeling aan een tarief dat wat, maar niet allen, van de vacatures van het kristalrooster aan de vooroppervlakte toestaat verspreiden om een wafeltje te produceren dat een profiel heeft van de vacatureconcentratie dat voor een deel door het gas wordt bepaald dat elke oppervlakte aan en voor een deel door het het koelen tarief wordt blootgesteld.