A field emitter cell includes a thin-film-edge emitter normal to the gate layer. The field emitter cell may include a conductive substrate layer, an insulator layer having a perforation, a gate layer having a perforation, an emitter layer, and other optional layers. The perforation in the gate layer is larger and concentrically offset with respect to the perforation in the insulating layer and may be of a tapered construction. Alternatively, the perforation in the gate layer may be coincident with, or larger or smaller than, the perforation in the insulating layer, provided that the gate layer is shielded from the emitter from a direct line-of-sight by a nonconducting standoff layer. Optionally, the thin-film-edge emitter may include incorporated nanofilaments. The field emitter cell has low gate current, making it useful for various applications such as field emitter displays, high voltage power switching, microwave, RF amplification and other applications that require high emission currents.

Una cellula dell'emettitore del campo include un normale dell'emettitore del sottile-pellicola-bordo allo strato del cancello. La cellula dell'emettitore del campo può includere uno strato conduttivo del substrato, uno strato dell'isolante che hanno una perforazione, uno strato del cancello che hanno una perforazione, uno strato dell'emettitore ed altri strati facoltativi. La perforazione nello strato del cancello è più grande e concentrico sfalsata riguardo alla perforazione nello strato isolante e può essere di una costruzione affusolata. Alternativamente, la perforazione nello strato del cancello può essere coincidente con, o più grande o più piccola di, la perforazione nello strato isolante, a condizione che lo strato del cancello è protetto dall'emettitore da un line-of-sight diretto da uno strato non conducente della colonnetta. Facoltativamente, l'emettitore del sottile-pellicola-bordo può includere i nanofilaments incorporati. La cellula dell'emettitore del campo ha corrente bassa del cancello, rendente lo utile per varie applicazioni quali le esposizioni dell'emettitore del campo, la commutazione ad alta tensione di alimentazione, la microonda, l'amplificazione di rf ed altre applicazioni che richiedono le alte correnti dell'emissione.