A Pb.sub.3 GeO.sub.5 phase PGO thin film is provided. This film has ferroelastic properties that make it ideal for many microelectromechanical applications or as decoupling capacitors in high speed multichip modules. This PGO film is uniquely formed in a MOCVD process that permits a thin film, less than 1 mm, of material to be deposited. The process mixes Pd and germanium in a solvent. The solution is heated to form a precursor vapor which is decomposed. The method provides deposition temperatures and pressures. The as-deposited film is also annealed to enhanced the film's ferroelastic characteristics. A ferroelastic capacitor made from the present invention PGO film is also provided.

Μια Pb.sub.3 GeO.sub.5 λεπτή ταινία φάσης PGO παρέχεται. Αυτή η ταινία έχει τις ferroelastic ιδιότητες που την καθιστούν ιδανική για πολλές microelectromechanical εφαρμογές ή ως αποσυζεύξεις των πυκνωτών στις υψηλές ενότητες ταχύτητας multichip. Αυτή η ταινία PGO διαμορφώνεται μεμονωμένα σε μια διαδικασία MOCVD που επιτρέπει σε μια λεπτή ταινία, λιγότερο από 1 χιλ., του υλικού για να κατατεθεί. Η διαδικασία αναμιγνύει pd και το γερμάνιο σε έναν διαλύτη. Η λύση θερμαίνεται για να διαμορφώσει έναν ατμό προδρόμων που αποσυντίθεται. Η μέθοδος παρέχει τις θερμοκρασίες και τις πιέσεις απόθεσης. Η όπως-κατατεθειμένη ταινία ανοπτείται επίσης ενίσχυσε τα ferroelastic χαρακτηριστικά της ταινίας. Ένας ferroelastic πυκνωτής που γίνεται από την παρούσα ταινία εφευρέσεων PGO παρέχεται επίσης.