A highly dense chemically adsorbed film is formed by repeating the alternate process of adsorption reaction and washing. Adsorption reaction is directed by contacting the substrate surface, which has or is given an alkali metal or a functional group, with a chemical adsorbent, having halosilyl or alkoxysilyl groups at the end of molecules. An unreacted chemical adsorbent is then washed away from the substrate surface. The alternate treatment of adsorption reaction and washing is repeated, thereby covalently bonding a chemically adsorbed film to the substrate surface. As a result, a chemically adsorbed film is formed in which stem molecules are directly or indirectly covalently bonded to the substrate surface via at least one element chosen from the group consisting of Si, Ge, Sn, Ti, Zr, S or C and graft molecules are covalently bonded to at least one element chosen from Si, Ge, Sn, Ti, Zr, S or C via at least one bond chosen from --SiO--, --GeO--, SnO--, --TiO--, ZrO--, --SO.sub.2 --, --SO-- and --C--.

Una película químicamente fijada por adsorcio'n altamente densa es formada repitiendo el proceso alterno de la reacción de la adsorción y lavándose. La reacción de la adsorción es dirigida entrando en contacto con la superficie del substrato, que tiene o se da a grupo alcalino-metálico o funcional, con un adsorbente químico, teniendo grupos del halosilyl o del alkoxysilyl en el extremo de moléculas. Un adsorbente químico unreacted entonces se lava lejos de la superficie del substrato. El tratamiento alterno de la reacción y de lavarse de la adsorción se repite, de tal modo covalente enlazando una película químicamente fijada por adsorcio'n a la superficie del substrato. Consecuentemente, se forma una película químicamente fijada por adsorcio'n en la cual las moléculas del vástago covalente se enlazan directamente o indirectamente a la superficie del substrato vía por lo menos un elemento elegido del grupo que consiste en el silicio, GE, sn, ti, zr, S o C y las moléculas del injerto covalente se enlazan por lo menos a un elemento elegido del silicio, de la GE, del sn, del ti, del zr, de S o de C vía por lo menos un enlace elegido -- SiO --. -- de GeO --. SnO --. -- TiO --. ZrO --. -- SO.sub.2 --. --SO -- y --C --.