A method for controlling the crystallite size and growth rate of plasma-deposited diamond films. A plasma is established at a pressure in excess of about 55 Torr with controlled concentrations of hydrogen up to about 98% by volume, of unsubstituted hydrocarbons up to about 3% by volume and an inert gas of one or more of the noble gases and nitrogen up to about 98% by volume. The volume ratio of inert gas to hydrogen is preferably maintained at greater than about 4, to deposit a diamond film on a suitable substrate. The diamond film is deposited with a predetermined crystallite size and at a predetermined growth rate.

Een methode om de kristallietgrootte en het groeipercentage plasma-gedeponeerde diamantfilms te controleren. Een plasma wordt gevestigd bij een druk meer dan ongeveer 55 Torr met gecontroleerde concentraties van waterstof tot ongeveer 98% in volume, van unsubstituted koolwaterstoffen tot ongeveer 3% in volume en een inert gas van één of meer van de edele gassen en stikstof tot ongeveer 98% in volume. De volumeverhouding van inert gas aan waterstof wordt bij voorkeur bij groter dan ongeveer 4, gehandhaafd om een diamantfilm op een geschikt substraat te deponeren. De diamantfilm wordt gedeponeerd met een vooraf bepaalde kristallietgrootte en aan een vooraf bepaald groeipercentage.