The present invention provides a highly sensitive TMR device. Since a TMR device is normally manufactured by a thin-film formation technique, the size and weight can be reduced. The thickness of a first spin polarization layer that is stacked on a soft magnetic layer for assisting magnetic field sensing operations and has a higher coercive force and a higher spin polarization rate than the soft magnetic layer is adjusted to a value that is smaller than the thickness of a tunneling layer or smaller than 2 nm, whichever is smaller. With the first spin polarization layer having such a thickness, both a low coercive force and a desirable TMR rate can be obtained. As a result, the magnetic field sensitivity of the TMR device as a sensor can be increased.

La presente invenzione fornisce un dispositivo altamente sensibile di TMR. Poiché un dispositivo di TMR è prodotto normalmente da una tecnica di sottili pellicole di formazione, il formato ed il peso possono essere ridotti. Lo spessore di un primo strato di polarizzazione di rotazione che è impilato su uno strato magnetico morbido per aiutare il campo magnetico che percepisce i funzionamenti ed ha una forza coercive più elevata e un più alto tasso di polarizzazione di rotazione che lo strato magnetico morbido è registrato ad un valore che è più piccolo dello spessore di uno strato di traforo o più piccolo di dei 2 nm, quale è più piccolo. Con il primo strato di polarizzazione di rotazione che ha un tal spessore, sia una forza coercive bassa che un tasso desiderabile di TMR possono essere ottenuti. Di conseguenza, la sensibilità del campo magnetico del dispositivo di TMR come sensore può essere aumentata.