A bi-directional transient voltage suppression device is provided. The device comprises: (a) a lower semiconductor layer of p-type conductivity; (b) an upper semiconductor layer of p-type conductivity; (c) a middle semiconductor layer of n-type conductivity adjacent to and disposed between the lower and upper layers such that lower and upper p-n junctions are formed; (d) a mesa trench extending through the upper layer, through the middle layer and through at least a portion of the lower layer, such that the mesa trench defines an active area for the device; and (e) an oxide layer covering at least portions of the walls of the mesa trench that correspond to the upper and lower junctions, such that the distance between the upper and lower junctions is increased at the walls. The integral of the net middle layer doping concentration of this device, when taken over the distance between the junctions, is such that breakdown, when it occurs, is punch through breakdown, rather than avalanche breakdown. A method of making such a device is also provided, which comprises: (a) providing a p-type semiconductor substrate; (b) epitaxially depositing a lower semiconductor layer of p-type conductivity; (c) epitaxially depositing a middle semiconductor layer of n-type conductivity over the lower layer; (d) epitaxially depositing an upper semiconductor layer of p-type conductivity over the middle layer; (e) heating the substrate, the lower epitaxial layer, the middle epitaxial layer and the upper epitaxial layer; (f) etching a mesa trench that extends through the upper layer, through the middle layer and through at least a portion of the lower layer, such that the mesa trench defines an active area for the device; and (g) thermally growing an oxide layer on at least those portions of the walls of the mesa trench that correspond to the upper and lower junctions of the device.

Un dispositif passager bi-directionnel de suppression de tension est fourni. Le dispositif comporte : (a) par couche inférieure de semi-conducteur de p-type conductivité ; (b) par couche supérieure de semi-conducteur de p-type conductivité ; (c) par couche moyenne de semi-conducteur de n-type conductivité à côté de et disposé entre le inférieur et le haut pose tels que des jonctions inférieures et supérieures de PN sont formées ; (d) un fossé de MESA passant à travers la couche supérieure, par la couche moyenne et par au moins une partie de la couche inférieure, telle que le fossé de MESA définit un secteur actif pour le dispositif ; et (e) parties d'une bâche de couche d'oxyde au moins des murs du fossé de MESA qui correspondent aux jonctions supérieures et inférieures, telles que la distance entre les jonctions supérieures et inférieures est augmentée aux murs. L'intégrale de la concentration enduisante en couche moyenne nette de ce dispositif, une fois succédée la distance entre les jonctions, est telle que la panne, quand elle se produit, est passent à travers la panne, plutôt que la panne d'avalanche. Une méthode de la fabrication d'un tel dispositif est également fournie, qui comporte : (a) fournissant un p-type substrat de semi-conducteur ; (b) déposer épitaxial une couche inférieure de semi-conducteur de p-type conductivité ; (c) déposer épitaxial une couche moyenne de semi-conducteur de n-type conductivité au-dessus de la couche inférieure ; (d) déposer épitaxial une couche supérieure de semi-conducteur de p-type conductivité au-dessus de la couche moyenne ; (e) chauffage du substrat, de la couche épitaxiale inférieure, de la couche épitaxiale moyenne et de la couche épitaxiale supérieure ; (f) gravant à l'eau-forte un fossé de MESA qui avance à travers la couche supérieure, par la couche moyenne et par au moins une partie de la couche inférieure, tel que le fossé de MESA définit un secteur actif pour le dispositif ; et (g) thermiquement accroissant une couche d'oxyde sur au moins ces parties des murs du fossé de MESA qui correspondent aux jonctions supérieures et inférieures du dispositif.