A semiconductor laser device includes a substrate, a light emission region
provided on the substrate, and an alignment stripe provided on the
substrate so as to be adjacent to the light emission region. The light
emission region includes a first active layer stripe having a layered
structure including a first waveguide layer, an active layer, and a second
waveguide layer, a first buried layer formed so as to cover side faces of
the active layer stripe, a second buried layer formed on the first buried
layer, and a third buried layer formed on the second buried layer and the
active layer stripe. The alignment stripe includes a second active layer
stripe having a layered structure including the first waveguide layer, the
active layer, and the second waveguide layer, and a selective growth mask
formed on the second active layer stripe and formed of a material on which
the first buried layer, the second buried layer and the third buried layer
are incapable of growing.
Un dispositif de laser de semi-conducteur inclut un substrat, une région légère d'émission fournie sur le substrat, et une raie d'alignement fournie sur le substrat afin d'être à côté de la région légère d'émission. La région légère d'émission inclut une première raie active de couche ayant une structure posée comprenant une première couche de guide d'ondes, une couche active, et une deuxième couche de guide d'ondes, une première couche enterrée formée afin de couvrir les visages latéraux de la raie active de couche, une deuxième couche enterrée formée sur la première couche enterrée, et une troisième couche enterrée formée sur la deuxième couche enterrée et la raie active de couche. La raie d'alignement inclut une deuxième raie active de couche ayant une structure posée comprenant la première couche de guide d'ondes, la couche active, et la deuxième couche de guide d'ondes, et un masque sélectif de croissance formé sur la deuxième raie active de couche et constitué d'un matériel sur lequel la première a enterré la couche, la deuxième couche enterrée et la troisième couche enterrée sont incapables de la croissance.
