For manufacture of a semiconductor device using a low heat resistant
substrate such as a glass substrate, a method of heat treatment for
activating an impurity element that is used to dope a semiconductor film
and for performing gettering on the semiconductor film in a short period
of time without deforming the substrate, is provided. Also provided is a
heat treatment apparatus for carrying out the above heat treatment. The
heat treatment method of the present invention involves irradiating an
object with light emitted from a lamp light source, and is characterized
in that the lamp light source emits light for 0.1 to 20 seconds at a time
and that light from the lamp light source irradiates the object several
times. The method is also characterized in that the irradiated region is
subjected to pulsating light from the lamp light source such that the
irradiated region holds the temperature to its highest for 0.5 to 5
seconds. The method is also characterized in that the amount of coolant to
be supplied is increased or reduced in accordance with blinking of the
lamp light source to enhance the effect of the heat treatment on the
semiconductor film and to prevent a heat-induced damage to the substrate.
Para la fabricación de un dispositivo de semiconductor usando un substrato a prueba de calor bajo tal como un substrato de cristal, un método de tratamiento de calor para activar un elemento de la impureza que se utilice para dopar una película del semiconductor y para realizar gettering en la película del semiconductor en un período del tiempo corto sin deformir el substrato, se proporciona. También se proporciona un aparato del tratamiento de calor para realizar el tratamiento de calor antedicho. El método de tratamiento de calor de la actual invención implica el irradiar de un objeto con la luz emitida de una fuente de luz de la lámpara, y se caracteriza en que la fuente de luz de la lámpara emite la luz por 0.1 a 20 segundos a la vez y que luz de los irradiates de la fuente de luz de la lámpara el objeto varias veces. El método también se caracteriza en que la región irradiada está sujetada a la luz que pulsa de la fuente de luz de la lámpara tales que la región irradiada lleva a cabo la temperatura a su más alto por 0.5 a 5 segundos. El método también se caracteriza en que la cantidad de líquido refrigerador que se proveerá está aumentada o reducida de acuerdo con el cekntelleo de la fuente de luz de la lámpara para realzar el efecto del tratamiento de calor en la película del semiconductor y para prevenir un daño provocado por el calor al substrato.
