A method and a structure of for an Electro Static Discharge (ESD) device
that is silicided. There are three preferred embodiments of the invention.
The first embodiment has a N/P/N structure. The emitter, the collector and
the substrate form a parasitic transistor and the substrate is connected
to the p+ diffusion region. The emitter and the substrate act as a first
diode D1 and the collector and the substrate act as a second diode D2. The
second embodiment has a first N+ well between a second n+ (collector)
region and a P+ base region. The Vt1 is controlled by the dopant profiles
of the P+ base and the n- first well where they intersect. The third
embodiment is similar to the second embodiment, but the n- well covers all
of drain. A parasitic NPN bipolar transistor comprises: an emitter, a
parasitic base and a drain. The emitter is formed by the first n+ region.
The parasitic base is formed by the p-substrate. The collector is formed
by the second n+ region and the first n- well. The Vt1 is controlled by
the dopant profiles of the P+ base and the n- first well where they
intersect.
Een methode en een structuur van voor een Elektroapparaat Statisch van de Lossing (ESD) dat is silicided. Er zijn drie aangewezen belichamingen van de uitvinding. De eerste belichaming heeft een structuur N/P/N. De zender, de collector en de substraatvorm worden een parasitische transistor en het substraat aangesloten aan p + verspreidingsgebied. De zender en het substraat doen dienst als eerste diode D1 en de collector en het substraat doen dienst als tweede diode D2. De tweede belichaming heeft eerste N + goed tussen tweede n + (collector) gebied en P + basisgebied. Vt1 wordt gecontroleerd door de additiefprofielen van P + basis en n - eerst goed waar zij snijden. De derde belichaming is gelijkaardig aan de tweede belichaming, maar n - behandelt goed elk van afvoerkanaal. Een parasitische bipolaire transistor NPN bestaat uit: een zender, een parasitische basis en een afvoerkanaal. De zender wordt gevormd door de eerste n + gebied. De parasitische basis wordt gevormd door het p-substraat. De collector wordt gevormd door de tweede n + gebied en eerste n - goed. Vt1 wordt gecontroleerd door de additiefprofielen van P + basis en n - eerst goed waar zij snijden.
