There is provided a semiconductor manufacturing apparatus comprising: a cassette station 16 in which wafers 18 are loaded; a stand-by conveying robot 10 for taking the wafers 18 out of the cassette station 16; a load lock chamber 12 in which the wafers 18 taken by the stand-by conveying robot 10 are accommodated; and a reaction chamber 14 placed in contact with the load lock chamber 12, the reaction chamber 14 having a shuttle blade 20 for drawing the wafers accommodated in the load lock chamber out of the load lock chamber 12 in a vacuum state and loading etched wafers in the load lock chamber, a rotary robot 26 for rotatively transferring the wafers taken out of the load lock chamber to be placed on the shuttle blade 20, and a heater stage 24 for etching the wafers transferred by the rotary robot 26 using a plasma generator 28, in which a pre-heating part 22 is placed above the shuttle blade 20, for pre-heating the wafers transferred into the reaction chamber 14 from the load lock chamber 12 before they are moved to the heater stage 24 in order to improve etch rate. Accordingly, etch processing time is shortened and productivity is maximized.

On fournit une comportement d'appareillage de fabrication de semi-conducteur : une référence 16 de cassette en laquelle les gaufrettes 18 sont chargés ; un robot de transport de réserve 10 pour prendre les gaufrettes 18 sur la référence 16 de cassette ; une chambre 12 de serrure de charge dans laquelle les gaufrettes 18 prises par le robot de transport de réserve 10 sont adaptées ; et une chambre 14 de réaction a placé en contact avec la chambre 12 de serrure de charge, la chambre 14 de réaction ayant une lame 20 de navette pour dessiner les gaufrettes adaptées dans la chambre de serrure de charge hors de la chambre 12 de serrure de charge dans un état de vide et charger les gaufrettes gravées à l'eau-forte dans la chambre de serrure de charge, un robot rotatoire 26 pour transférer rotatively les gaufrettes prises hors de la chambre de serrure de charge à placer sur la lame 20 de navette, et une étape 24 de réchauffeur pour graver à l'eau-forte les gaufrettes transférées par le robot rotatoire 26 à l'aide d'un générateur 28 de plasma, en lequel une partie de préchauffage 22 est placée au-dessus de la lame 20 de navette, parce que préchauffant les gaufrettes transférées dans la chambre 14 de réaction de la chambre 12 de serrure de charge avant qu'elles soient déplacées à l'étape 24 de réchauffeur afin d'améliorer le taux gravure à l'eau forte. En conséquence, durée de la transformation gravure à l'eau forte se raccourcit et la productivité est maximisée.