The present invention provides a mask for use in forming a thin-layer pattern of an organic electroluminescence element having high-precision pixels. The mask is manufactured by wet-etching a (100) silicon wafer (single crystal silicon substrate) in a crystal orientation-dependent anisotropic fashion so as to form through-holes having (111)-oriented walls serving as apertures corresponding to a thin-layer pattern to be formed.

Присытствыющий вымысел обеспечивает маску для пользы в формировать thin-layer картину органического элемента electroluminescence имея высокоточные пикселы. Маска изготовлена вафлей кремния а влажн-vytravlivani4 (100) (субстратом кремния одиночного кристалла) в crystal ориентаци-zavisimom неравносвойственном способе для того чтобы сформировать через-otversti4 имея (111)-oriented огораживает сервировку по мере того как апертуры соответствуя к thin-layer картине, котор нужно сформировать.