In a nitride semiconductor of BpAlqGarInsN (0.ltoreq.p.ltoreq.1, 0.ltoreq.q.ltoreq.1, 0.ltoreq.r.ltoreq.1, 0.ltoreq.s.ltoreq.1, p+q+r+s=1), in particular a p-type nitride compound semiconductor, a point defect concentration of the p-type semiconductors is set to 1.times.10.sup.19 cm.sup.-3 or more. This makes it possible to obtain a high carrier concentration at room temperature.

В полупроводник нитрида BpAlqGarInsN (0.ltoreq.p.ltoreq.1, 0.ltoreq.q.ltoreq.1, 0.ltoreq.r.ltoreq.1, 0.ltoreq.s.ltoreq.1, p+q+r+s=1), в частности полупроводник нитрида п-tipa составной, концентрация дефекта пункта полупроводников п-tipa установлен к 1.times.10.sup.19 cm.sup.-3 или больше. Это делает его по возможности получить высокую концентрацию несущей на температуре комнаты.