Photoresist monomers which can be used to form photoresist polymers and photoresist compositions using the same which are suitable for photolithography processes employing a deep ultraviolet light source and copolymers thereof. Monomers are represented by following Formula 1: ##STR1## wherein, R.sub.1, is --OH or --R--OH; R represents substituted or unsubstituted linear or branched (C.sub.1 -C.sub.10) alkylene, substituted or unsubstituted (C.sub.1 -C.sub.10) alkylene comprising an ether linkage, substituted or unsubstituted (C.sub.1 -C.sub.10) alkylene comprising an ester linkage, or substituted or unsubstituted (C.sub.1 -C.sub.10) alkylene comprising an ketone moiety; and 1 is an integer of 1 or 2.

Monomères de vernis photosensible qui peuvent être employés pour former des polymères de vernis photosensible et des compositions en vernis photosensible en utilisant la même chose qui conviennent aux processus de photolithographie utilisant une source profonde de la lumière UV et des copolymères en. Des monomères sont représentés par la formule suivante 1 : ## du ## STR1 où, R.sub.1, est --OH ou -- r -- l'OH ; R représente linéaire substitué ou non substitué ou embranché (C.sub.1 -) l'alkylène substituée ou non substituée de l'alkylène C.sub.10, (C.sub.1 - C.sub.10) comportant une alkylène substituée ou non substituée de tringlerie d'éther, (C.sub.1 - C.sub.10) comportant une tringlerie d'ester, ou (C.sub.1 - C.sub.10) l'alkylène substituée ou non substituée comportant une partie de cétone ; et 1 est un nombre entier de 1 ou de 2.