An ESD device and method using parasitic bipolar transistors that are silicided. The first embodiment is a parasitic Bipolar Junction Transistor comprised of n+/n-/p-/n-/n+ regions. The emitter is formed of the second N+ region and the second N- well. The parasitic base is formed by the p- substrate or well. The collector is formed of the first well and the first n+ region. The benefit of the first embodiment is the trigger voltage is lower because the junction between the n- well (emitter) and P- substrate (base) and the junction between P- substrate (base) and the n- well have lower cross over concentrations. The second embodiment is similar to the first embodiment with the addition of the first gate. The first gate is preferably connected to the first n+ region and the Vpad. The third embodiment contains the same elements as the second embodiment with the addition of a third n+ region. The third n+ region is preferably shorted (or connected) to the first p+ region and the second n+ region. The third embodiment forms a second NPN parasitic bipolar using the third N+ region as an emitter. The forth embodiment contains the same elements as the third embodiment with the addition of a second gate over the first isolation region. The second gate is preferably connected to the third n+ region to the first p+ region and the second n+ region. The gate changes the electrical characteristics of the first parasitic bipolar transistor.

Een ESD apparaat en de methode die parasitische bipolaire transistors gebruiken die zijn silicided. De eerste belichaming is een parasitische Bipolaire Transistor van de Verbinding wordt samengesteld die van n+/n-/p-/n-/n + gebieden. De zender wordt gevormd van de tweede N + gebied en tweede N - goed. De parasitische basis wordt gevormd door p - substraat of goed. De collector wordt gevormd van de eerste goed en de eerste n + gebied. Het voordeel van de eerste belichaming is het trekkervoltage is lager omdat de verbinding tussen n - goed (zender) en P - substraat (basis) en de verbinding tussen P - substraat (basis) en n - goed lager kruis over concentraties hebben. De tweede belichaming is gelijkaardig aan de eerste belichaming met de toevoeging van de eerste poort. De eerste poort wordt bij voorkeur verbonden met de eerste n + gebied en Vpad. De derde belichaming bevat de zelfde elementen zoals de tweede belichaming met de toevoeging van derde n + gebied. De derde n + het gebied zijn bij voorkeur shorted (of verbonden) aan de eerste p + gebied en de tweede n + gebied. De derde belichaming vormt parasitische bipolair tweede NPN gebruikend de derde N + gebied als zender. De belichaming bevat vooruit de zelfde elementen zoals de derde belichaming met de toevoeging van een tweede poort over het eerste isolatiegebied. De tweede poort wordt bij voorkeur verbonden met de derde n + gebied aan de eerste p + gebied en de tweede n + gebied. De poort verandert de elektrokenmerken van de eerste parasitische bipolaire transistor.