A method and a reactor of plasma treating a wafer with high induction plasma density and high uniformity of reactive species were disclosed in this invention. The inductively coupled plasma reactor of the present invention includes a vacuum chamber having a dielectric ceiling thereof and a unique coil configuration atop on the dielectric ceiling, wherein the dielectric ceiling is designed to have a different height according to its shape, e.g., a planar, dish-shaped or hat-shaped dielectric ceiling, for coupling an RF power into the chamber to excite the plasma. The unique coil configuration contains plural helical coils which are arranged in series or in parallel to provide a high-density uniform ion plasma for a large wafer treatment.

Un método y un reactor del plasma que trataban una oblea con alta densidad del plasma de la inducción y alta uniformidad de la especie reactiva fueron divulgados en esta invención. El reactor inductivo juntado del plasma de la actual invención incluye un compartimiento del vacío que tiene un techo dieléctrico de eso y una configuración única de la bobina encima en del techo dieléctrico, en donde el techo dieléctrico se diseña para tener una diversa altura según su forma, un techo dieléctrico e.g., planar, dish-shaped o sombrero-formado, para juntar una energía del RF en el compartimiento de excitar el plasma. La configuración única de la bobina contiene las bobinas helicoidales plurales que se arreglan en serie o en paralelo para proporcionar un plasma uniforme de alta densidad del ion para un tratamiento grande de la oblea.