A semiconductor device with a package size close to its chip size is, apart from a stress absorbing layer, such as to effectively absorb thermal stresses. A semiconductor device (150) has a semiconductor chip provided with electrodes (158), a resin layer (152) forming a stress relieving layer provided on the semiconductor chip, wiring (154) formed from the electrodes (158) to over the resin layer (152), and solder balls (157) formed on the wiring (154) over the resin layer (152); the resin layer (152) is formed so as to have a depression (152a) in the surface, and the wiring (154) is formed so as to pass over the depression (152a).

Een halfgeleiderapparaat met een pakketgrootte dicht bij zijn spaandergrootte is, behalve een spannings absorberende laag, zoals om thermische spanningen effectief te absorberen. Een halfgeleiderapparaat (150) heeft een halfgeleiderspaander die van elektroden (158) wordt voorzien, een harslaag (152) die een spannings verlichtende laag vormt die op de halfgeleiderspaander wordt verstrekt, telegraferend (154) gevormd van elektroden (158) aan over de harslaag (152), en soldeerselballen (157) die op telegraferende (154) meer dan de harslaag (152) worden gevormd; harslaag (152) wordt gevormd om een depressie (152a) in de oppervlakte te hebben, en telegraferende (154) wordt gevormd om over de depressie (152a) over te gaan.