A semiconductor chip package includes a ground metal layer disposed in close proximity to a signal layer for carrying electrical input and output signals to and from the chip. The ground metal layer has a plate structure and is formed by two metal plates or a single metal plate having openings for the electrode pads of the chip. Because the ground trace is nearest to the signal trace, the loop area formed by a signal current and its return current is reduced and, therefore, loop inductance is reduced as well. Further, because of the plate structure of the ground trace and its proximity to the signal trace, the inductive element and parasitic parameters due to the signal trace can be significantly reduced and the electrical performance of high-frequency semiconductor IC devices is greatly improved, especially when applied to wafer level packaging IC devices.

Μια συσκευασία τσιπ ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα στρώμα επίγειων μετάλλων που διατίθεται στη στενή εγγύτητα σε ένα στρώμα σημάτων για σήματα εισαγωγής και παραγωγής μεταφοράς τα ηλεκτρικά σε και από το τσιπ. Το στρώμα επίγειων μετάλλων έχει μια δομή πιάτων και διαμορφώνεται από δύο μεταλλικά πιάτα ή ένα ενιαίο μεταλλικό πιάτο που έχει τις ενάρξεις για τα μαξιλάρια ηλεκτροδίων του τσιπ. Επειδή το επίγειο ίχνος είναι το κοντινότερο στο ίχνος σημάτων, η περιοχή βρόχων που διαμορφώνεται από ένα ρεύμα σημάτων και το επιστροφής ρεύμα της μειώνεται και, επομένως, η αυτεπαγωγή βρόχων μειώνεται επίσης. Περαιτέρω, λόγω της δομής πιάτων του επίγειου ίχνους και της εγγύτητάς του στο ίχνος σημάτων, το επαγωγικό στοιχείο και οι παρασιτικές παράμετροι λόγω στο ίχνος σημάτων μπορούν να μειωθούν σημαντικά και η ηλεκτρική απόδοση των υψηλής συχνότητας συσκευών ολοκληρωμένου κυκλώματος ημιαγωγών βελτιώνεται πολύ, ειδικά όταν εφαρμόζεται στο επίπεδο γκοφρετών που συσκευάζει τις συσκευές ολοκληρωμένου κυκλώματος.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor apparatus with decoupling capacitor

< High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products

> Semiconductor device and method of forming the same

> Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same

~ 00081