The present invention provides a method of fabricating a TFT structure by
two masking processes. More specifically, a light shielding layer and an
interlayer insulating layer are sequentially formed on a substrate, and
then source/drain electrodes are formed on the interlayer insulating layer
(a first masking step). A semiconductor layer, a gate insulating layer and
a gate metal layer are sequentially formed so as to cover the source/drain
electrodes, and a gate electrode is formed in a second masking step.
Subsequently, the gate insulating layer and the semiconductor layer are
etched, and the interlayer insulating layer and the light shielding layer,
which are disposed under the source/drain electrodes, are etched using the
source/drain electrodes as a mask, thus obtaining a top gate TFT
structure. When the interlayer insulating layer and the gate insulating
layer are made of an insulating material containing SiO.sub.X and
SiN.sub.X as a main component, the gate insulating layer and the
semiconductor layer are naturally over-etched more than the interlayer
insulating layer and the light shielding layer by plasma-etching with
mixed gas of CF.sub.4 and hydrogen, thus obtaining a TFT structure with a
high reliability, which is free from a problem of occurrence of
photo-induced leak current.
A invenção atual fornece um método de fabricar uma estrutura de TFT por dois processos mascarando. Mais especificamente, uma camada protegendo clara e uma camada isolando do interlayer são dadas forma sequencialmente em uma carcaça, e os elétrodos de source/drain são dados forma então na camada isolando do interlayer (uma primeira etapa mascarando). Uma camada do semicondutor, uma camada isolando da porta e uma camada do metal da porta são dadas forma sequencialmente para cobrir os elétrodos de source/drain, e um elétrodo de porta é dada forma em uma segunda etapa mascarando. Subseqüentemente, a camada isolando da porta e a camada do semicondutor são gravadas, e a camada isolando do interlayer e a camada protegendo clara, que são dispostas sob os elétrodos de source/drain, são gravadas usando os elétrodos de source/drain como uma máscara, assim obtendo uma estrutura superior da porta TFT. Quando a camada isolando do interlayer e a camada isolando da porta são feitas de um material isolando que contem SiO.sub.X e SiN.sub.X como um componente principal, a camada isolando da porta e a camada do semicondutor sobre-estão gravadas naturalmente mais do que a camada isolando do interlayer e a camada protegendo clara pela plasma-gravura a água-forte com gás misturado de CF.sub.4 e de hidrogênio, assim obtendo uma estrutura de TFT com uma confiabilidade elevada, que esteja livre de um problema da ocorrência da corrente foto-induzida do escape.
