Formation of a gate dielectric includes forming a metal oxide on at least a portion of the surface of the substrate assembly by electron beam evaporation. An ion beam is generated using an inert gas to provide inert gas ions for compacting the metal oxide during formation thereof.

A formação de um dielétrico da porta inclui dar forma a um óxido de metal ao menos em uma parcela da superfície do conjunto da carcaça pela evaporação do feixe de elétron. Um feixe de íon é gerado usando um gás inerte fornecer íons do gás inerte para comprimir o óxido de metal durante a formação disso.