A typical integrated circuit interconnects millions of microscopic transistors and resistors with aluminum wires buried in silicon-dioxide insulation. Yet, aluminum wires and silicon-dioxide insulation are less attractive than copper wires and polymer-based insulation, which promise both lower electrical resistance and capacitance and thus faster, more efficient circuits. Unfortunately, current techniques cannot realize the promise because copper reacts with the polymer-based insulation to form copper dioxide within the polymer, reducing effectiveness of the copper-polymer combination. Accordingly, the inventor devised a method which uses a non-acid-precursor to form a polymeric layer and then cures, or bakes, it in a non-oxidizing atmosphere, thereby making the layer resistant to copper-dioxidizing reactions. Afterward, the method applies a copper-adhesion material, such as zirconium, to the layer to promote adhesion with a subsequent copper layer. With reduced copper-dioxide, the resulting interconnective structure facilitates integrated circuits with better speed and efficiency.

Eine typische integrierte Schaltung schaltet Millionen der mikroskopischen Transistoren und der Widerstände mit den Aluminiumleitungen zusammen, die in der Silikon-Dioxid Isolierung begraben werden. Jedoch sind Aluminiumleitungen und Silikon-Dioxid Isolierung weniger attraktiv als kupferne Leitungen und Polymer-Plastik-gegründete Isolierung, die niedrigeren elektrischen Widerstand und Kapazitanz und folglich schnellere versprechen, leistungsfähigere Stromkreise. Leider können gegenwärtige Techniken nicht die Versprechung verwirklichen, weil Kupfer mit der Polymer-Plastik-gegründeten Isolierung zum Formkupferdioxid innerhalb des Polymer-Plastiks reagiert und Wirksamkeit der Kupfer-Polymer-Plastik Kombination verringern. Dementsprechend plante der Erfinder eine Methode, die einen Nicht-Säurevorläufer benutzt, um eine polymerische Schicht und dann Heilungen zu bilden, oder backt, es in einer nicht-oxidierenden Atmosphäre, dadurch erbildet erbildet die Schicht beständig gegen Kupfer-dioxidizing Reaktionen. Danach wendet die Methode ein Kupfer-Adhäsion Material, wie Zirkonium, an der Schicht an, um Adhäsion mit einer folgenden kupfernen Schicht zu fördern. Mit verringertem Kupfer-Dioxid erleichtert die resultierende interconnective Struktur integrierte Schaltungen mit besserer Geschwindigkeit und Leistungsfähigkeit.