A wavelength tunable semiconductor vertical cavity surface emitting laser
which includes at least one active element including an active layer
generating an optical gain by injection of a current, and at least one
phase control element, and mirrors. The phase control element contains a
modulator exhibiting a strong narrow optical absorption peak on a short
wavelength side from the wavelength of the laser generation. The
wavelength control is realized by using a position-dependent
electro-optical effect. If a reverse bias is applied, the absorption
maximum is shifted to longer wavelengths due to the Stark effect. If a
forward bias is applied, a current is injected and results in the
bleaching and reduction of the peak absorption. In both cases a strong
modulation of the refractive index in the phase control element occurs.
The effect tunes the wavelength of the cavity mode, and the sign and the
value of the wavelength shift are defined by the position of the
modulator. Two phase control cascades can be implemented into the laser,
one of which shifts the wavelength of the emitted light to larger values,
and the other shifts the wavelength of the emitted light to smaller
values. A power equalizing element can be used in such laser allowing
either to maintain the constant output power at different emission
wavelengths or to realize an independent frequency and amplitude
modulation. A photodetecting element can be implemented in the laser
allowing calibration of the laser for all operations.
Ein ausstrahlender Oberflächenlaser des tunable Raums des Halbleiters der Wellenlänge vertikalen, der mindestens ein aktives Element einschließlich eine aktive Schicht einschließt, die einen optischen Gewinn durch Einspritzung eines Stromes erzeugt und mindestens ein Phase Steuerelement und Spiegel. Das Phase Steuerelement enthält einen Modulator, der ein starkes schmales optisches Absorptionsmaximum auf einer kurzen Wellenlängeseite von der Wellenlänge des Laser Erzeugung ausstellt. Die Wellenlängesteuerung wird verwirklicht, indem man einen Position-abhängigen elektrooptischen Effekt verwendet. Wenn eine Gegenmagnetisierung angewendet wird, wird das Absorption Maximum auf die längeren Wellenlängen wegen des steifen Effektes verschoben. Wenn eine Vorwärtsvorspannung angewendet wird, wird ein Strom eingespritzt und ergibt die Bleiche und die Verkleinerung der Höchstabsorption. In beiden Fällen tritt eine starke Modulation des Brechungsindex im Phase Steuerelement auf. Der Effekt stimmt die Wellenlänge des Raummodus ab, und das Zeichen und der Wert der Wellenlängeverschiebung werden durch die Position des Modulators definiert. Zweiphasensteuerkaskaden können in den Laser, von dem einer eingeführt werden die Wellenlänge des ausgestrahlten Lichtes auf größere Werte verschiebt und der andere die Wellenlänge des ausgestrahlten Lichtes auf kleinere Werte verschiebt. Ein Energie ausgleichendes Element kann in solchem Laser benutzt werden dürfend entweder die konstante Ausgang Energie an den unterschiedlichen Emissionwellenlängen beibehalten oder eine unabhängige Frequenz- und Umfangsmodulation verwirklichen. Ein photodetecting Element kann im Laser eingeführt werden, Kalibrierung des Lasers für alle Betriebe erlaubend.