A method of forming a programmable conductor memory cell array is disclosed wherein metal and chalcogenide glass are co-sputtered to fill an array of cell vias in a prepared substrate. The prepared substrate is heated above room temperature before the metal and chalcogenide glass film is deposited, and the heating is maintained throughout the deposition. The resulting metal/chalcogenide glass film has good homogeneity, a desired ratio of components, and has a regular surface.

Un método de formar un arsenal de célula programable de memoria del conductor se divulga en donde el metal y el cristal del chalcogenide co-se farfullan para llenar un arsenal de vias de la célula en un substrato preparado. El substrato preparado se calienta sobre temperatura ambiente antes del metal y se deposita la película de cristal del chalcogenide, y la calefacción se mantiene a través de la deposición. La película de cristal de metal/chalcogenide que resulta tiene buena homogeneidad, un cociente deseado de componentes, y tiene una superficie regular.