Disclosed is a method for making low metallic impurity SiO-based dielectric thin films on semiconductor substrates using a room temperature wet chemical growth (RTWCG) process for electronic and photonic (optoelectronic) device applications. The process comprises soaking the semiconductor substrate into the growth solution. The process utilizes a mixture of aqueous inorganic or organic based silicon source solution, an inorganic reduction oxidation (redox) aqueous solution, non-invasive inorganic or organic based liquid additives for adjusting the growth rate and reducing the metallic impurity concentration within the SiO-based film, with or without an electron exchange pyridine based component, and an inorganic homogeneous catalyst for enhancing the growth of the SiO-based film.

Onthuld wordt een methode om tot lage metaalonzuiverheid op siO-Gebaseerde diëlektrische dunne films op halfgeleidersubstraten te maken gebruikend een proces van de kamertemperatuur nat chemisch groei (RTWCG) voor elektronische en photonic (optoelectronic) apparatentoepassingen. Het proces bestaat uit het doorweken van het halfgeleidersubstraat in de de groeioplossing. Het proces gebruikt een mengsel van waterige anorganische of organische gebaseerde silicium bronoplossing, een anorganische oplossing in water van de verminderingsoxydatie (redox), niet-invasieve anorganische of organische gebaseerde vloeibare additieven voor het aanpassen van het groeipercentage en het verminderen van de metaalonzuiverheidsconcentratie binnen de op siO-Gebaseerde film, met of zonder een gebaseerde component van de elektronenuitwisseling pyridine, en een anorganische homogene katalysator voor het verbeteren van de groei van de op siO-Gebaseerde film.