Devices and methods for the vapor deposition of amorphous, silicon-containing thin films using vapors comprised of deuterated species. Thin films grown on a substrate wafer by this method contain deuterium but little to no hydrogen. Optical devices comprised of optical waveguides formed using this method have significantly reduced optical absorption or loss in the near-infrared optical spectrum commonly used for optical communications, compared to the loss in waveguides formed in thin films grown using conventional vapor deposition techniques with hydrogen containing precursors. In one variation, the optical devices are formed on a silicon-oxide layer that is formed on a substrate, such as a silicon substrate. The optical devices of some variations are of the chemical species SiO.sub.x N.sub.y :D. Since the method of formation requires no annealing, the thin films can be grown on electronic and optical devices or portions thereof without damaging those devices.

Dispositifs et méthodes pour le dépôt de vapeur d'amorphe, silicium-contenant les couches minces en utilisant des vapeurs consistées en des espèces contenant du deutérium. Les couches minces développées sur une gaufrette de substrat contiennent par cette méthode le deutérium mais peu à aucun hydrogène. Les circuits optiques consistés en les guides d'ondes optiques formés en utilisant cette méthode ont sensiblement réduit l'absorption ou la perte optique dans le spectre optique proche-infrarouge généralement utilisé pour des communications optiques, comparé à la perte dans des guides d'ondes formés en couches minces développées en utilisant des techniques conventionnelles de dépôt de vapeur avec de l'hydrogène contenant des précurseurs. Dans une variation, les circuits optiques sont formés sur une couche d'silicium-oxyde qui est formée sur un substrat, tel qu'un substrat de silicium. Les circuits optiques de quelques variations sont des espèces chimiques SiO.sub.x N.sub.y :D. Puisque la méthode de formation n'exige aucun recuit, les couches minces peuvent être développées sur les circuits optiques électroniques et ou les parties en sans endommager ces dispositifs.