A process of making a buried digit line stack is disclosed. The process includes forming a silicon-lean metal silicide first film over a polysilicon plug, followed by a silicide compound barrier second film. The silicide compound barrier second film is covered with a refractory metal third film. A salicidation process causes the first film to salicide with the polysilicon plug. In one embodiment, all the aforementioned deposition processes are carried out by physical vapor deposition ("PVD").

Un proceso de hacer una línea enterrada apilado del dígito se divulga. El proceso incluye la formación silicio-inclina película del silicide del metal la primera sobre un enchufe del polysilicon, seguido por una película de la barrera segunda del compuesto del silicide. La película de la barrera segunda del compuesto del silicide se cubre con un metal refractario tercero filma. Un proceso del salicidation causa la primera película al salicide con el enchufe del polysilicon. En una encarnación, todos los procesos ya mencionados de la deposición son realizados por la deposición física del vapor ("PVD").