The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor apparatus comprising a semiconductor device having a ferroelectric film and a surface-protective film, and an encapsulant member comprising a resin; the surface-protective film being formed of a polyimide. The present invention also provides a process for fabricating a resin-encapsulated semiconductor apparatus, comprising the steps of forming a film of a polyimide precursor composition on the surface of a semiconductor device having a ferroelectric film; heat-curing the polyimide precursor composition film to form a surface-protective film formed of a polyimide; and encapsulating, with an encapsulant resin, the semiconductor device on which the surface-protective film has been formed. The polyimide may preferably have a glass transition temperature of from 240.degree. C. to 400.degree. C. and a Young's modulus of from 2,600 MPa to 6 GPa. The curing may preferably be carried out at a temperature of from 230.degree. C. to 300.degree. C.

Присытствыющий вымысел обеспечивает смола-pome5enny1 прибор полупроводника состоя из прибора на полупроводниках имея ferroelectric пленку и surface-protective пленку, и encapsulant член состоя из смолаы; surface-protective пленка будучи сформированным polyimide. Присытствыющий вымысел также обеспечивает процесс для изготовлять смола-pome5enny1 прибор полупроводника, состоя из шагов формировать пленку состава прекурсора polyimide на поверхности прибора на полупроводниках имея ferroelectric пленку; heat-curing пленка состава прекурсора polyimide для того чтобы сформировать surface-protective пленку сформировала polyimide; и помещающ, с encapsulant смолаой, был сформирован прибора на полупроводниках на котором surface-protective пленка. Polyimide может предпочтительн иметь температуру стеклянного перехода от 240.degree. C к 400.degree. C и young's модуль от 2.600 MPa до 6 GPa. Лечить может предпочтительн быть снесен вне на температуру от 230.degree. C к 300.degree. Ч.