A ferroelectric memory device having a multi-layer electrode structure and
a fabricating method thereof are described. The ferroelectric memory
device includes a semiconductor substrate having first and second
transistors, an interlayer insulating layer covering the first and second
transistors, and first and second ferroelectric capacitor sequentially
stacked on the interlayer insulating layer. The first ferroelectric
capacitor includes a lower electrode, a first ferroelectric layer, and a
middle electrode sequentially stacked on the interlayer insulating layer,
while the second ferroelectric capacitor includes the middle electrode,
and a second ferroelectric layer and an upper electrode sequentially
stacked on the middle electrode. First and second transistors are
selectively connected to the first and second ferroelectric capacitors,
respectively, forming two or one unit cell. Therefore, it is possible to
form a unit cell in a smaller area than a conventional area, and increase
an area that a capacitor occupies.
Un dispositivo de memoria ferroelectric que tiene una estructura de múltiples capas del electrodo y un método que fabrica de eso se describen. El dispositivo de memoria ferroelectric incluye un substrato del semiconductor que tiene primero y los segundos transistores, una capa de aislamiento de la capa intermediaria que cubre los primeros y segundos transistores, y condensador primero y en segundo lugar ferroelectric apilado secuencialmente en la capa de aislamiento de la capa intermediaria. El primer condensador ferroelectric incluye un electrodo más bajo, una primera capa ferroelectric, y un electrodo medio apilado secuencialmente en la capa de aislamiento de la capa intermediaria, mientras que el segundo condensador ferroelectric incluye el electrodo medio, y una segunda capa ferroelectric y un electrodo superior apilados secuencialmente en el electrodo medio. Primero y los segundos transistores están conectados selectivamente con los primeros y segundos condensadores ferroelectric, respectivamente, formando dos o una células de la unidad. Por lo tanto, es posible formar una célula de la unidad en un área más pequeña que un área convencional, y aumenta un área que un condensador ocupe.
