A method for use in the fabrication of integrated circuits includes providing a substrate assembly having a surface. An adhesion layer is formed over at least a portion of the surface. The adhesion layer is formed of RuSi.sub.x O.sub.y, where x and y are in the range of about 0.01 to about 10. The adhesion layer may be formed by depositing RuSi.sub.x O.sub.y by chemical vapor deposition, atomic layer deposition, or physical vapor deposition or the adhesion layer may be formed by forming a layer of ruthenium or ruthenium oxide over a silicon-containing region and performing an anneal to form RuSi.sub.x O.sub.y from the layer of ruthenium and silicon from the adjacent silicon-containing region. Capacitor electrodes, interconnects or other structures may be formed with such an adhesion layer. Semiconductor structures and devices can be formed to include adhesion layers formed of RuSi.sub.x O.sub.y.

Een methode voor gebruik in de vervaardiging van geïntegreerde kringen omvat het verstrekken van een substraatassemblage die een oppervlakte heeft. Een adhesielaag wordt gevormd meer dan minstens een gedeelte van de oppervlakte. De adhesielaag wordt gevormd van RuSi.sub.x O.sub.y, waar x en y in het bereik van ongeveer 0,01 aan ongeveer 10 zijn. De adhesielaag kan worden gevormd door RuSi.sub.x O.sub.y door chemische dampdeposito, atoomlaagdeposito, of fysiek dampdeposito te deponeren of de adhesielaag kan worden gevormd door een laag van ruthenium of rutheniumoxyde over een silicium-bevattend gebied te vormen en presteren onthardt om RuSi.sub.x O.sub.y van de laag van ruthenium en silicium van het aangrenzende silicium-bevattend gebied te vormen. De elektroden van de condensator, verbindt onderling of andere structuren kunnen met een dergelijke adhesielaag worden gevormd. De structuren en de apparaten van de halfgeleider kunnen worden gevormd om adhesielagen te omvatten die van RuSi.sub.x O.sub.y. worden gevormd