A passive element memory array preferably biases selected X-lines to an externally received V.sub.PP voltage and selected Y-lines to ground. Unselected Y-lines are preferably biased to V.sub.PP minus a first offset voltage, and unselected X-lines biased to a second offset voltage (relative to ground). The first and second offset voltages preferably are identical and have a value of about 0.5 to 2 volts. The V.sub.PP voltage depends upon the memory cell technology used, and preferably falls within the range of 5 to 20 volts. The area otherwise required for an on-chip V.sub.PP generator and saves the power that would be consumed by such a generator. In addition, the operating temperature of the integrated circuit during the programming operation decreases, which further decreases power dissipation. When discharging the memory array, the capacitance between layers is preferably discharged first, then the layers are discharged to ground.

Une rangée passive de mémoire d'élément polarise de préférence les X-lignes choisies à une tension extérieurement reçue de V.sub.PP et les Y-lignes choisies pour rectifier. Des Y-lignes non sélectionnées sont de préférence polarisées à V.sub.PP sans une première tension d'excentrage, et à X-lignes non sélectionnées polarisées à une deuxième tension d'excentrage (relativement à la terre). Les premières et deuxièmes tensions d'excentrage de préférence sont identiques et ont une valeur d'environ 0.5 à 2 volts. La tension de V.sub.PP dépend de la technologie de cellules de mémoire utilisée, et fait partie de préférence de la marge de 5 à 20 volts. Le secteur autrement exigé pour un générateur du sur-morceau V.sub.PP et sauve la puissance qui serait consommée par un tel générateur. En outre, la température de fonctionnement du circuit intégré pendant l'opération de programmation diminue, que d'autres diminutions actionnent la dissipation. En déchargeant la rangée de mémoire, la capacité entre les couches est de préférence déchargée d'abord, alors les couches sont déchargées à la terre.