A vertical cavity laser includes an optical cavity adjacent to a first mirror, the optical cavity having a semiconductor portion and a dielectric spacer layer. A dielectric DBR is deposited adjacent to the dielectric spacer layer. The interface between the semiconductor portion of the optical cavity and the dielectric spacer layer is advantageously located at or near a null in the optical standing wave intensity pattern of the vertical cavity laser to reduce the losses or scattering associated with that interface.

Ein vertikaler Raumlaser schließt einen optischen Raum neben einem ersten Spiegel, der optische Raum mit ein, der einen Halbleiterteil und eine dielektrische Distanzscheibe Schicht hat. Ein Nichtleiter DBR wird neben der dielektrischen Distanzscheibe Schicht niedergelegt. Die Schnittstelle zwischen dem Halbleiterteil des optischen Raums und der dielektrischen Distanzscheibe Schicht sitzt vorteilhaft an oder nahe einer Null im optischen Stellungwelle Intensität Muster des vertikalen Raumlasers, um die Verluste oder das Zerstreuen zu verringern, die mit dieser Schnittstelle verbunden sind.